图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSC014N04LSATMA1 

产品描述

MOSFET MV POWER MOS

内部编号

173-BSC014N04LSATMA1

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:13430
5000+¥5.407
10000+¥5.126
15000+¥4.934
最小起订量:5000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:4330
1+¥9.3676
10+¥8.0001
100+¥6.1744
500+¥5.4565
1000+¥4.3078
2500+¥3.8086
5000+¥3.7334
10000+¥3.665
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#3

数量:13430
10+¥9.73
100+¥7.797
500+¥6.798
1000+¥5.731
2500+¥5.344
最小起订量:10
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSC014N04LSATMA1产品详细规格

规格书 BSC014N04LSATMA1 datasheet 规格书
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 100 A
封装/外壳 PG-TDSON-8 FL
零件号别名 SP000871196
下降时间 7 ns
安装风格 SMD/SMT
商品名 OptiMOS
配置 Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 120 S
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 35 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 BSC014N04
RDS(ON) 1.5 mOhms
封装 Reel
功率耗散 96 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 9 ns
漏源击穿电压 40 V
栅极电荷Qg 61 nC
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.2 V
宽度 5.15 mm
Qg - Gate Charge 85 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 100 A
长度 5.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 1.1 mOhms
通道模式 Enhancement
身高 1.27 mm
典型导通延迟时间 8 ns
Pd - Power Dissipation 96 W
技术 Si

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